ＳｉＣ在地球上幾乎不存在，僅在隕石中有所發(fā)現(xiàn)，因此，工業(yè)上應(yīng)用的ＳｉＣ粉末都為人工合成。目前，合成ＳｉＣ粉末的主要方法有：
１、Ａｃｈｅｓｏｎ法：
   

　　這是工業(yè)上采用最多的合成方法，即用電將石英砂和焦炭的混合物加熱至２５００℃左右高溫反應(yīng)制得。因石英砂和焦炭中通常含有Ａｌ和Ｆｅ等雜質(zhì)，在制成的ＳｉＣ中都固溶有少量雜質(zhì)。其中，雜質(zhì)少的呈綠色，雜質(zhì)多的呈黑色。
２、化合法：
   

　　在一定的溫度下，使高純的硅與碳黑直接發(fā)生反應(yīng)。由此可合成高純度的β－ＳｉＣ粉末。
３、熱分解法：
   

　　使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有機(jī)硅聚合物在１２００～１５００℃的溫度范圍內(nèi)發(fā)生分解反應(yīng)，由此制得亞微米級(jí)的β－ＳｉＣ粉末。
４、氣相反相法：
   

　　使ＳｉＣｌ４和ＳｉＨ４等含硅的氣體以及ＣＨ４、Ｃ３Ｈ８、Ｃ７Ｈ８和（Ｃｌ４等含碳的氣體或使ＣＨ3ＳｉＣｌ３、（ＣＨ３）２ ＳｉＣｌ２和Ｓｉ（ＣＨ３）４等同時(shí)含有硅和碳的氣體在高溫下發(fā)生反應(yīng)，由此制備納米級(jí)的β－ＳｉＣ超細(xì)粉。